国产 “Poxiao ”闪存问世：比 USB 快一百万倍

上海复旦大学的研究人员开发出一种皮秒级闪存设备，实现了半导体技术的突破。据说这种设备的存取速度达到了惊人的 400 皮秒（或 0.4 纳秒），相当于每秒运行 250 亿次。研究小组将这一创新命名为 “PoX”，它被认为是迄今为止最快的半导体电荷存储设备。

该研究成果于本周三发表在《自然》杂志上。该项目的主要科学家、集成芯片与系统国家重点实验室研究员周鹏说："这就好比该设备在眨眼间就能工作 10 亿次，而 U 盘（U 盘）只能工作 1000 次。此前类似技术的世界纪录是 200 万次。不过，这项比较所针对的 USB 版本并未提及。

现有的非易失性存储器，如闪存，即使没有电源也能保留数据，能耗极低。不过，它们的数据存取速度比静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）等易失性存储器慢。与非易失性存储器不同，SRAM 和 DRAM 在电源中断时会丢失数据，因此不适合低功耗应用。

复旦团队通过开发一种新颖的非易失性存储器技术，填补了这一空白。他们利用二维狄拉克带结构和弹道传输特性实现了一种器件物理机制。通过调制二维通道的高斯长度，研究人员实现了将通道电荷 “超级注入” 到存储器存储层的效果。

该项目的研究人员刘春森解释说：“传统的注入行为有速度限制，而超级注入则没有这种限制。二维超级注入机制将非易失性存储器的速度推向了理论极限，重新定义了当前存储技术的边界。”

这一突破有望在多个领域产生重大影响，特别是在支持大型人工智能模型的超高速计算需求方面。此外，闪存的成本效益和可扩展性使其成为全球技术进步和工业应用的基石。

周鹏指出：“我们的技术突破不仅有望重塑全球存储技术格局、推动产业升级、培育新的应用场景，还将为中国在相关领域的领跑提供有力支撑。”

来源：China Daily (link1, link2) via Fudan University